Galliumnitrid, eine Mischung aus Gallium und Stickstoff, findet als Halbleiter seit den 1990er Jahren Anwendung in der Leuchtmittelindustrie sowie im Bereich der Solaranlagen. GaN wird zum Beispiel in LEDs, vor allem in grünen und blauen LEDs, verbaut. Der Halbleiter zeichnet sich durch seine ausgezeichnete Leitfähigkeit sowie seine hohe Temperaturbeständigkeit aus. Diese Eigenschaften machen ihn vor allem für eine Technik interessant: Ladegeräte. Bisher ist Silizium das gängige Halbleitermaterial, das in Ladegeräten verbaut wird. Doch GaN-Netzteile sind auf dem Vormarsch.
GaN-Ladegeräte erzeugen weniger Wärme als andere Ladegeräte, weshalb die wenigen Komponenten, die für GaN Netzteile benötigt werden, zugleich auch enger verbaut werden können. Zugleich profitieren die Endgeräte ebenfalls von der höheren Temperaturbeständigkeit, die ihnen Sicherheit beim Ladevorgang bietet. Eine Überhitzung des Smartphones beim Ladevorgang wird so vermieden. Das wiederum ermöglicht den GaN-Netzteilen eine stärkere Leistung. Die Elektronen werden effizienter geleitet als bei anderen Halbleiter-Ladegeräten. Im Umkehrschluss ergeben sich daraus zwei Vorteile: eine geringere Wärmeentwicklung sowie weniger Energieverlust, bei kürzeren Ladezeiten, sowohl für Smartphone und Tablet, als auch für größere Geräte wie Laptops. Und auch das Aufladen mehrerer Geräte gleichzeitig ist dadurch gegeben. So ersparen Sie sich das Mitschleppen mehrerer Ladegeräte für Ihre Elektronik und müssen stattdessen nur das kompakte GaN-Ladegerät mit entsprechendem Kabel für die Endgeräte in die Tasche packen. Galliumnitrid-Netzteile haben sich bereits an die neuesten USB-Anschlüsse angepasst. Der Anschlusstyp USB-C kann, dank der höheren Banklückeneffizienz, die den Strom durch das Netzteil schneller fließen lässt, verwendet und die Geräte dadurch in höherer Geschwindigkeit aufgeladen werden. Den Vorteil können Sie jedoch nur nutzen, wenn sowohl Ladekabel als auch Gerät denselben Standard verwenden wie das GaN-Ladegerät.
GaN-Netzteile: Vorteile in Zahlen ausgedrückt
GaN-Ladegeräte lassen nicht nur Worte sondern auch Taten, vielmehr Zahlen sprechen. Die Vorteile liegen auf der Hand, doch in Zahlen ausgedrückt, überlegen Sie sich wohl kein zweites Mal, ob Ihr nächstes Ladegerät Galliumnitrid als Halbleiter verwendet. Silizium Ladegeräte sind, was die Übertragungsfähigkeit betrifft, deutlich eingeschränkt. Bei Smartphones sind es nicht mehr als 20W, die dort transportiert werden. GaN-Ladegeräte haben auf diesen Missstand reagiert. Smartphones können heutzutage deutlich mehr Watt vertragen, und auch der USB Typ C kann mittlerweile bis zu 240W leiten. Silizium Netzteile stecken also bei 20W fest, auch mit der Power Delivery Technologie war nicht mehr drin. 20W beziehungsweise 60W bei USB-C waren das Maximum. Galliumnitrid macht sich seine höhere Leitfähigkeit zunutze, die im Vergleich 1.000 Mal besser leitet als es Silizium tut. Damit sind auch größere Wattmengen möglich und vor allem wird der Stromverbrauch dadurch erheblich gesenkt. Die GaN USB PD Netzteile von InLine besitzen beispielsweise eine Ausgangsleistung von 65W und unterstützen Power Delivery 3.0. Ob Single USB-C oder Dual USB-C +USB-A Netzteil, Ihre elektronischen Geräte laden Sie damit alleine oder zusammen im Handumdrehen auf. Noch effizienter laden Sie mit dem InLine® USB Netzteil mit Schutzkontaktbuchse und 1,5m Kabel. Dieses GaN-Netzteil bietet Ihnen zwei USB-C-Anschlüsse, ein USB-A-Anschluss sowie eine Schutzkontaktbuchse. Der USB-A-Anschluss unterstützt zudem Quickcharge 4+ und, wie die beiden anderen Netzteile, auch Power Delivery 3.0.
